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位置：标准分享网>机械工程材料论文>定向凝固提纯对工业硅杂质及电阻率的影响
定向凝固提纯对工业硅杂质及电阻率的影响

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  • 更新时间：

    2010-01-14

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资料简介

以1101工业硅为原料, 采用真空感应熔炼加定向凝固提纯方法制备了多晶硅铸锭, 通过电感耦合等离子体发射光谱仪、扫描电镜、四探针电阻率仪、导电类型测试仪等对其化学成分、组织、电阻率及导电类型等进行了分析。结果表明: 多晶硅锭中约50%的区域纯度达到99.99%, 其中铁、铜、镍等金属杂质去除率均在90%以上; 分凝效应使得杂质元素重新分布, 导致粗大柱状晶在铸锭54%高度处停止生长, 此时其成分及电阻率发生突变, 导电类型也由P型转变为N型。

所属栏目

辽宁省重大工业攻关资助项目(2006222007)

收稿日期

2010/1/142010/12/10

作者单位

张慧星:大连理工大学材料科学与工程学院, 大连 116023
谭毅:大连理工大学材料科学与工程学院, 大连 116023
孙世海:大连理工大学材料科学与工程学院, 大连 116023
许富民:大连理工大学材料科学与工程学院, 大连 116023
姜大川:大连理工大学材料科学与工程学院, 大连 116023

备注

张慧星(1982-), 男, 河北衡水人, 硕士研究生。

引用该论文:

ZHANG Hui-xing,TAN Yi,SUN Shi-hai,XU Fu-min,JIANG Da-chuan.Influence of Unidirectional Solidification Purification on Impurity and Resistivity of Commercial Silicon[J].Materials for mechancial engineering,2011,35(3):52～55
张慧星,谭毅,孙世海,许富民,姜大川.定向凝固提纯对工业硅杂质及电阻率的影响[J].机械工程材料,2011,35(3):52～55


参考文献

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【关键词】 定向凝固 多晶硅 分凝效应 电阻率  张慧星 谭毅 孙世海 许富民 姜大川

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