采用射频磁控溅射法在室温、500 ℃的单晶硅和GCr15钢基体上制备了MoS2/SiC双层薄膜, 并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、摩擦磨损试验机以及划痕仪等研究了薄膜的结构、形貌、成分、摩擦学性能以及薄膜与基体的结合力。结果表明: 当衬底温度为500 ℃时制备的MoS2/SiC双层薄膜表面致密平整, 两层薄膜之间界面平直, 膜厚约为0.8 μm; 该双层膜的摩擦因数低, 耐磨性好; 添加中间层可提高薄膜与基体的结合力。

所属栏目

新材料 新工艺江苏高校省级重点实验室开放基金资助项目(kjsmcx 06005)

收稿日期

2011/1/152011/10/21

作者单位

王晓静:江苏大学材料科学与工程学院, 镇江 212013
邵红红:江苏大学材料科学与工程学院, 镇江 212013
王季:江苏大学材料科学与工程学院, 镇江 212013

备注

王晓静(1985-), 女, 江苏苏州人, 硕士研究生。

引用该论文:

WANG Xiao-jing,SHAO Hong-hong,WANG Ji.MoS₂/SiC Double Films Prepared by Radio Frequency Magnetron Sputtering[J].Materials for mechancial engineering,2012,36(2):68～71
王晓静,邵红红,王季.射频磁控溅射法制备MoS₂/SiC双层薄膜[J].机械工程材料,2012,36(2):68～71

被引情况:

【1】

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