以SiC微粉为原料,并添加质量分数为10%的Al2O3和Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了SiC陶瓷,对烧结致密化过程、SPS烧结温度、烧结压力及烧结时间对致密化的影响进行了研究,并通过XRD和SEM等检测手段对SPS烧结得到烧结体的显微组织和物相组成进行了分析.结果表明：SiC的SPS烧结过程可分为放气膨胀区、气体溢出收缩区、烧结收缩区、烧结完成区四阶段,最佳的烧结参数为1 600℃,50 MPa,5 min,所得的烧结体致密度达99.09%.

所属栏目

国家自然科学基金资助项目(50404012)

收稿日期

2007/4/292007/7/20

作者单位

张勇:北京科技大学材料科学与工程学院, 北京 100083
何新波:北京科技大学材料科学与工程学院, 北京 100083
曲选辉:北京科技大学材料科学与工程学院, 北京 100083
孔祥磊:北京科技大学材料科学与工程学院, 北京 100083
段柏华:北京科技大学材料科学与工程学院, 北京 100083

备注

张勇(1977-),男,河北邯郸人,博士研究生.

引用该论文:

ZHANG Yong,HE Xin-bo,QU Xuan-hui,KONG Xiang-lei,DUAN Bo-hua.Densification Process of Spark Plasma Sintering for Silicon Carbide Ceramic[J].Materials for mechancial engineering,2008,32(3):45～47
张勇,何新波,曲选辉,孔祥磊,段柏华.放电等离子烧结工艺制备致密碳化硅陶瓷[J].机械工程材料,2008,32(3):45～47

参考文献

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