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B位替代对Bi2(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷介电性能的影响
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  • 更新时间:

    2008-03-24

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资料简介

采用传统的二次球磨固相反应法制备了Bi2(Zn1/3Nb2/3-xMx)2O7(M为Sn,Zr,Ti)陶瓷,并使用X射线衍射仪、扫描电镜、介电性能测试仪等研究了Sn4+,Zr4+,Ti4+的B位替代对陶瓷烧结温度、物相、显微形貌以及介电性能的影响.结果表明:当替代量x≤0.25时,所得陶瓷均保持单一的单斜焦绿石相结构;Zr4+,Ti4+替代的陶瓷达到最致密的烧结温度与未经替代的一致,而Sn4+替代的陶瓷在1 020 ℃烧结才可以达到最致密;用Ti4+,Zr4+替代的陶瓷晶粒尺寸与基体的相当,而Sn4+替代的陶瓷晶粒尺寸大小不一;Sn4+,Zr4+替代的陶瓷介电常数温度系数随着替代量的增加逐渐减小,Sn4+替代的陶瓷在x=0.25时为负值,Ti4+替代的陶瓷介电常数温度系数随着替代量的增加先增大后减小,但始终为正值.

所属栏目

材料性能及其应用四川省教育厅科技基金资助项目(2006C025)

收稿日期

2008/3/242008/10/8

作者单位

张红霞:西华大学材料科学与工程学院, 四川 成都 610039
丁士华:西华大学材料科学与工程学院, 四川 成都 610039
陈涛:西华大学材料科学与工程学院, 四川 成都 610039
宋天秀:西华大学材料科学与工程学院, 四川 成都 610039
张东:西华大学材料科学与工程学院, 四川 成都 610039
杨秀玲:西华大学材料科学与工程学院, 四川 成都 610039

备注

张红霞(1980-),女,河北邢台人,硕士研究生.

引用该论文:

ZHANG Hong-xia,DING Shi-hua,CHEN Tao,SONG Tian-xiu,ZHANG Dong,YANG Xiu-ling.Effect of B Site Substitution on Dielectric Properties of Bi2(Zn1/3Nb2/3)O7 Based Ceramics[J].Materials for mechancial engineering,2009,33(4):82~84
张红霞,丁士华,陈涛,宋天秀,张东,杨秀玲.B位替代对Bi2(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷介电性能的影响[J].机械工程材料,2009,33(4):82~84


参考文献

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【关键词】 Bi2O3-ZnO-Nb2O5基陶瓷 烧结温度 介电性能  张红霞 丁士华 陈涛 宋天秀 张东 杨秀玲

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