采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层, 通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果表明: 随着腐蚀时间的延长, 形成的多孔硅层呈现不同的形貌, 多孔壁孔径逐渐变大, 少子寿命延长且电阻率增大; 腐蚀14 min后, 多孔硅层局部区域坍塌, 孔壁变薄; 腐蚀11 min时, 经850 ℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值, 分别为0.98 μs和0.16 Ω·cm。
所属栏目
收稿日期
2010/8/102011/2/7
作者单位
解希玲:大连理工大学辽宁省光伏重点实验室, 大连 116024
谭毅:大连理工大学辽宁省光伏重点实验室, 大连 116024
李佳艳:大连理工大学辽宁省光伏重点实验室, 大连 116024
董伟:大连理工大学辽宁省光伏重点实验室, 大连 116024
刘艳娇:大连理工大学辽宁省光伏重点实验室, 大连 116024
邹清川:大连理工大学辽宁省光伏重点实验室, 大连 116024
备注
解希玲(1984-), 女, 黑龙江哈尔滨人, 硕士研究生。
引用该论文:
XIE Xi-ling,TAN Yi,LI Jia-yan,DONG Wei,LIU Yan-jiao,ZOU Qing-chuan.Effect of Corrosion Time on Porous Layer Morphology and Polycrystalline Silicon Properties[J].Materials for mechancial engineering,2011,35(9):58～60
解希玲,谭毅,李佳艳,董伟,刘艳娇,邹清川.腐蚀时间对多孔硅层形貌及多晶硅性能的影响[J].机械工程材料,2011,35(9):58～60
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