用射频磁控溅射法在硅基片上制备了AlN、BN单层膜及AlN/BN纳米多层膜,采用X射线衍射仪、傅立叶变换红外光谱仪、小角度X射线反射仪、高分辨率透射电子显微镜和原子力显微镜等对其进行了表征.结果表明:AlN/BN多层膜具有(103)择优取向,并且当AlN层厚固定时,随着BN层厚的增加,(103)择优取向得到强化;AlN单层膜及AlN/BN纳米多层膜均呈岛状生长,多层膜界面粗糙度及表面粗糙度均随着BN层厚的增加而减小;多层膜中BN的结构与BN的层厚有关,当AlN层厚保持在4.0 nm且BN层厚为0.32～0.55 nm时,可获得晶态w-BN,当BN层厚增至0.74 nm时,BN呈非晶态.
所属栏目
试验研究国家自然科学基金资助项目(50574044)
收稿日期
2007/10/92007/11/14
作者单位
喻利花:江苏科技大学材料科学与工程学院, 江苏 镇江 212003
农尚斌:江苏科技大学材料科学与工程学院, 江苏 镇江 212003
董师润:江苏科技大学材料科学与工程学院, 江苏 镇江 212003
许俊华:江苏科技大学材料科学与工程学院, 江苏 镇江 212003
备注
喻利花(1964-),女,江西南昌人,副教授,硕士.
引用该论文:
YU Li-hua,NONG Shang-bin,DONG Shi-run,XU Jun-hua.Synthesis and Microstructure of AlN/w-BN Nano-multilayers[J].Materials for mechancial engineering,2008,32(10):22～26
喻利花,农尚斌,董师润,许俊华.AlN/w-BN纳米多层膜的制备及其显微结构[J].机械工程材料,2008,32(10):22～26
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