在不同温度下, 采用自主设计的测试设备测试了不同纯度和不同厚度的冶金级硅的电导率, 分析了冶金级硅的纯度对电导率的影响。结果表明: 采用厚度较薄的硅片进行电导率测试能更准确反映出电导率随温度的变化关系; 当温度达到650 ℃以上时, 本征激发作用明显, 冶金级硅电导率开始迅速增大, 并且纯度较高、金属杂质含量较少的硅电导率随温度的升高增幅较大; 最后, 根据测量出的电导率进行了数值拟合, 得到了冶金级硅电导率随温度变化的数学表达式。

所属栏目

试验研究国家自然科学基金资助项目(51066003, U1137601); 国家科技支撑计划项目(2011BAE03B01)

收稿日期

2013/1/22013/10/20

作者单位

杨玺:昆明理工大学冶金与能源工程学院, 真空冶金国家工程实验室, 云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心, 昆明 650093
吕国强:昆明理工大学冶金与能源工程学院, 真空冶金国家工程实验室, 云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心, 昆明 650093
马文会:昆明理工大学冶金与能源工程学院, 真空冶金国家工程实验室, 云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心, 昆明 650093
罗涛:昆明理工大学冶金与能源工程学院, 真空冶金国家工程实验室, 云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心, 昆明 650093

备注

杨玺(1987-), 男, 云南开远人, 博士研究生。

引用该论文:

YANG Xi,Lv Guo-qiang,MA Wen-hui,LUO Tao.Conductivity Changes with Temperature for Metallurgical Grade Silicon of Different Purity[J].Materials for mechancial engineering,2013,37(12):71～74
杨玺,吕国强,马文会,罗涛.不同纯度冶金级硅电导率随温度的变化[J].机械工程材料,2013,37(12):71～74

参考文献

【1】

吴亚萍.太阳能级多晶硅的冶金制备研究[D].大连: 大连理工大学, 2006.

【2】

温宏权, 毛协民, 张军, 等.太阳能级硅的电磁约束感应熔炼[J].太阳能学报, 1996, 17(4): 344-347.

【3】

张伟娜, 谭毅, 许富民.显微组织对冶金法制备多晶硅电阻率的影响[J].机械工程材料, 2008, 32(1): 17-20.

【4】

赵伟, 侯清润, 陈宜保, 等.半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量[J].物理与工程, 2007, 17(1): 26-30.

【5】

梅向阳.真空定向凝固法去除硅中金属杂质和晶体生长控制的研究[D].昆明: 昆明理工大学, 2010.

【6】

阎守胜.固体物理基础[M].北京: 北京大学出版社, 2000.

【7】

陈治明, 王建农.半导体器件的材料物理基础[M].北京: 科学出版社, 1999.

【8】

张伟娜.冶金多晶硅的电学性能研究[D]. 大连: 大连理工大学, 2008.

【9】

HAMET J F, ABDELAOUI R, NOUET G. Precipitation at grain boundaries in silicon[J]. Materials Science and Engineering, 1989, 4: 143-145.

【10】

席珍强, 杨德仁, 陈君, 等.晶体硅中的铁沉淀规律[J].半导体学报, 2003(2): 1166-1170.

【11】

邓海.铸造多晶硅中原生杂质及缺陷的研究[D].杭州: 浙江大学, 2006.

【12】

WOLF E, KLINGER D, BERGMANN S.Investigations for the detection of microdefectsin cast multicrystalline silicon[J].Solid State Phenomena, 1996, 51/52: 87-92.欢迎来稿欢迎订阅欢迎刊登广告