超声波声场具体分为四个区域：①主声束和副瓣--声源正前方，声能最集中的锥形区域即为主声束，声源发射的声能主要集中在主声束。声束副瓣也称副声束，通常出现在邻近探头晶片的一个区域内，旁侧于主声束，其轴线倾斜于晶片表面，能量微弱，截面较小，晶片尺寸和波长之比的不同，副瓣的数量和辐射方向也不相同；②近场--指主声束中心轴线上最后一个声压极大值处至晶片表面这一区域，近场长度用N表示，它取决于晶片的直径D（或面积AS）和波长λ，用公式N=(D2-λ2)/4λ≈AS/πλ表示。近场区邻近压电晶片，声压分布最不均匀，这是由于该区域内声波干涉现象最严重，因此近场区也称干涉区，干涉现象对探伤有很大影响，探伤时要尽量避免；③远场--近场以外的区域称为远场。远场中各子波传播的距离已经很远，相位几乎相等，各量可以简单相加，声压值随距离增加而单调下降。远场区的大小由晶片尺寸、波长、介质的声学特性及激励晶片的电压决定，实质上即与超声波的发射功率以及传声介质特性相关；④未扩散区--主声束横截面与声源直径相同之点至近场与远场分界点的一段区域称为未扩散区，该点至晶片表面的距离约为近场区长度的1.6倍，该区域中的平均声压可以看作常数，从该点开始，主声束扩散，形成锥体。
